ZTX655

更新时间： 2025-07-22 22:34:03

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关局域网
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZTX655 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	20 pF
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

ZTX655 数据手册

NPN SILICON PLANAR

ZTX654

ZTX655

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

150 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX654

125

ZTX655

150

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

125

150

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

ZTX654

= 25°C unless otherwise stated).

ZTX655

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

125

150

I_C=100µA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0*

I_E=100µA, I_C=0

V_CB=100V, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

100

V_CB=125V, I_E=0

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=3V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.5

I_C=500mA, I_B=50mA*

I_C=1A, I_B=200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

1.1

I_C=500mA, I_B=50mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

1.0

I_C=500mA, V_CE=5V*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

I_C=10mA, V_CE=5V

I_C=500mA, V_CE=5V*

I_C=1A, V_CE=5V*

Transition

Frequency

f_T

MHz I_C=10mA, V_CE=20V

f=20MHz

Output Capacitance C_obo

V_CB=20V, f=1MHz

3-225

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