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ZTX653

更新时间： 2024-10-29 22:34:03

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描述
NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS)

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NPN SILICON PLANAR

ZTX652

ZTX653

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

*

*

*

*

100 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot=1 Watt

C

B

E

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX652

100

ZTX653

120

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V

V

V

A

A

80

100

5

6

2

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

1

5.7

W

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

ZTX652

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

= 25°C unless otherwise stated).

amb

ZTX653

PARAMETER

SYMBOL

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Collector-Base

Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO100

120

100

5

V

V

V

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Breakdown

Voltage

V_(BR)CEO80

Emitter-Base

Breakdown

Voltage

V_(BR)EBO

5

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

0.1

10

V_CB=80V

V_CB=100V

V_CB=80V,T =100°C

V_CB=100V,T =100°C

µA

µA

µA

µA

0.1

10

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

0.1

0.1

V_EB=4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

0.13 0.3

0.23 0.5

0.13 0.3

0.23 0.5

V

V

I_C=1A, I_B=100mA*

I_C=2A, I_B=200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

0.9

1.25

0.9

1.25

V

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.8

1

0.8

1

V

IC=1A, V_CE=2V*

3-222

12 3

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