ZTX652

更新时间： 2024-01-31 21:09:31

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3页	65K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZTX652 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	30 pF
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

ZTX652 数据手册

NPN SILICON PLANAR

ZTX652

ZTX653

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

100 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot=1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX652

100

ZTX653

120

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

ZTX652

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

= 25°C unless otherwise stated).

amb

ZTX653

PARAMETER

SYMBOL

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Collector-Base

Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO100

120

100

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Breakdown

Voltage

V_(BR)CEO80

Emitter-Base

Breakdown

Voltage

V_(BR)EBO

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

0.1

V_CB=80V

V_CB=100V

V_CB=80V,T =100°C

V_CB=100V,T =100°C

µA

0.1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

0.1

V_EB=4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

0.13 0.3

0.23 0.5

0.13 0.3

0.23 0.5

I_C=1A, I_B=100mA*

I_C=2A, I_B=200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

0.9

1.25

0.9

1.25

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.8

IC=1A, V_CE=2V*

3-222

12 3

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