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ZTX651STOA

更新时间： 2024-01-23 17:43:38
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美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZTX651STOA 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.1
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSIP-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

ZTX651STOA 数据手册

 浏览型号ZTX651STOA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZTX651STOA的Datasheet PDF文件第3页 
NPN SILICON PLANAR  
ZTX650  
ZTX651  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 2 – JULY 94  
FEATURES  
*
*
*
*
60 Volt VCEO  
2 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
Ptot=1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX650  
60  
ZTX651  
80  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
A
A
45  
60  
5
6
2
Peak Pulse Current  
Continuous Collector Current  
IC  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
ZTX650  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
ZTX651  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO 60  
80  
60  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO 45  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
5
Collector Cut-Off  
Current  
ICBO  
0.1  
10  
V
CB=45V  
VCB=60V  
CB=45V,T =100°C  
µA  
µA  
µA  
µA  
0.1  
V
10  
VCB=60V,T =100°C  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
0.1  
0.1  
VEB=4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
0.12 0.3  
0.23 0.5  
0.12 0.3  
0.23 0.5  
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=2A, IB=200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
0.9  
1.25  
0.9  
1.25  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
0.8  
1
0.8  
1
V
IC=1A, VCE=2V*  
3-219  
123

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