ZTX651SM

更新时间： 2024-02-19 01:41:56

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZTX651SM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.62	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX651SM 数据手册

NPN SILICON PLANAR

ZTX650

ZTX651

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

60 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot=1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX650

ZTX651

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

ZTX650

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

= 25°C unless otherwise stated).

amb

ZTX651

PARAMETER

SYMBOL

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO60

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO45

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

0.1

_CB=45V

V_CB=60V

_CB=45V,T =100°C

µA

0.1

V_CB=60V,T =100°C

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

0.1

V_EB=4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

0.12 0.3

0.23 0.5

0.12 0.3

0.23 0.5

I_C=1A, I_B=100mA*

I_C=2A, I_B=200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

0.9

1.25

0.9

1.25

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.8

IC=1A, V_CE=2V*

3-219

12 3

下载PDF

与ZTX651SM相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZTX651STOA	DIODES	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS	获取价格
ZTX651STOA	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM	获取价格
ZTX651STOB	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM	获取价格
ZTX651STOB	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM	获取价格
ZTX651STZ	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM	获取价格
ZTX652	ZETEX	NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS)	获取价格