ZTX650STOA

更新时间： 2024-01-20 07:19:50

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX650STOA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	30 pF
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

ZTX650STOA 数据手册

ZTX650

ZTX651

ZTX650

ZTX651

PARAMETER

SYMBOL

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Transition

Frequency

f_T

140

175

140

175

MHz I_C=100mA, V_CE=5V

f=100MHz

Switching Times

t_on

t_off

Output Capacitance C_obo

I_C=500mA, V_CC=10V

I_B1=I_B2=50mA

800

V_CB=10V f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

R_th(j-amb)1

MAX.

UNIT

Thermal Resistance:Junction to Ambient₁

Junction to Ambient₂

Junction to Case

175

116

°C/W

R_th(j-amb)2

R_th(j-case)

Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.

2.5

2.0

200

D=1 (D.C.)

D=t₁/t_P

Case temperature

1.5

100

D=0.5

1.0

0.5

D=0.2

D=0.1

Single Pulse

0.0001 0.001

-40 -20

0.01

0.1

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-220

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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