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ZTX605

更新时间： 2024-09-14 22:34:03
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS)

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ZTX605 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.12最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：2000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：2.5 W
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：1.5 VBase Number Matches：1

ZTX605 数据手册

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
DARLINGTON TRANSISTORS  
ISSUE 1 – MARCH 94  
ZTX604  
ZTX605  
FEATURES  
*
*
*
*
120 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Gain of 2K at IC=1 Amp  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX604  
120  
ZTX605  
140  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
A
A
100  
120  
10  
4
Peak Pulse Current  
Continuous Collector Current  
IC  
1
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/ °C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX604  
ZTX605  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
120  
100  
10  
140  
120  
10  
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
0.01  
10  
V
CB=100V  
CB=120V  
VCB=100V,T =100°C  
CB=120V,T =100°C  
µA  
µA  
µA  
µA  
0.01  
V
10  
V
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
0.1  
10  
0.1  
VEB=8V  
µA  
Colllector-Emitter  
Cut-Off Current  
ICES  
VCES=100V  
VCES=120V  
µA  
10  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
1.0  
1.5  
1.0  
1.5  
V
V
IC=250mA, IB=0.25mA*  
IC=1A, IB=1mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1.8  
1.8  
V
IC=1A, IB=1mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
1.7  
1.7  
V
IC=1A, VCE=5V*  
3-212  
123

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