ZTX601B

更新时间： 2024-09-28 12:26:59

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管局域网
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3页	80K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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ZTX601B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	7.08	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	5000
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX601B 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 2 JUNE 94

ZTX600

ZTX601

FEATURES

160 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

Gain of 5K at I_C=1 Amp

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX600

160

ZTX601

180

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

140

160

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX600

ZTX601

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO160

V_(BR)CEO140

V_(BR)EBO10

I_CBO

180

160

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

0.01

_CB=140V

V_CB=160V

_CB=140V,T =100°C

µA

0.01

V_CB=160V,T =100°C

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

0.1

V_EB=8V

µA

Colllector-Emitter

Cut-Off Current

I_CES

V_CES=140V

V_CES=160V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

0.75 1.1

0.85 1.2

0.75 1.1

0.85 1.2

I_C=0.5A, I_B=5mA*

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

1.7

1.9

1.7

1.9

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

1.5

1.7

1.5

1.7

IC=1A, V_CE=5V*

3-206

12 3

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ZTX601B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX601	DIODES	类似代替	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
2N5088BU	FAIRCHILD	功能相似	NPN General Purpose Amplifier

与ZTX601B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX601BL	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
ZTX601BM1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SO
ZTX601BQ	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
ZTX601BSM	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO
ZTX601BSMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO
ZTX601BSMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO
ZTX601BSTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO
ZTX601BSTOB	DIODES	获取价格	1000mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
ZTX601BSTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO
ZTX601BSTZ	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO

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