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ZTX557STZ

更新时间： 2024-02-28 19:17:11

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美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	79K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX557STZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	10 pF	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	75 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

ZTX557STZ 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

ISSUE 1 JULY 94

ZTX556

ZTX557

FEATURES

300 Volt V_CEO

0.5 Amp continuous current

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX556

-200

ZTX557

-300

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-200

-300

-5

-1

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation

I_C

-0.5

1.0

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX556

ZTX557

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX MIN. MAX

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO-200

V_(BR)CEO-200

V_(BR)EBO-5

I_CBO

-300

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

-0.1

-0.3

-1

V_CB=-160V

V_CB=-200V

µA

-0.1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.3

-1

I_C=-50mA, I_B=-5mA*

IC=-50mA, V_CE=-10V*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

Base-Emitter

Turn-on Voltage

V_BE(on)

-1

Static Forward

Current Transfer

Ratio

h_FE

I_C=-10mA, V_CE=-10V*

I_C=-50mA, V_CE=-10V*

300

Transition

Frequency

f_T

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-10V

f=100MHz

3-200

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZTX558	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
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ZTX558K	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
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