ZTX555

更新时间： 2024-10-29 22:34:03

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZTX555 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	10 pF
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

ZTX555 数据手册

PNP SILICON PLANAR

ZTX554

ZTX555

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

150 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX554

-140

ZTX555

-160

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-125

-150

-5

-2

-1

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation: at T_amb= 25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX554

ZTX555

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX MIN. MAX

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-140

-125

-5

-160

-150

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

-0.1

-0.3

-1

V_CB=-120V

V_CB=-140V

µA

-0.1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-0.3

-1

I_C=-100mA, I_B=-10mA*

IC=-100mA, V_CE=-10V*

Base-Emitter

Saturation Voltage

Base-Emitter

Turn-on Voltage

-1

Static Forward

Current Transfer Ratio

I_C=-10mA, V_CE=-10V*

I_C=-300mA, V_CE=-10V*

300

Transition Frequency f_T

Output Capacitance C_obo

100

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-10V

f=100MHz

V_CB=-10V, f=1MHz

3-198

中文翻译

下载PDF

与ZTX555相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX555DA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX555DB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX555DC	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX555DWP	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.026 X 0.026 INC
ZTX555K	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
ZTX555L	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
ZTX555L	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
ZTX555M1	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
ZTX555M1TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 ST
ZTX555SM	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 CO

与ZTX555相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

19
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZTX555

ZTX555 技术参数

ZTX555 数据手册

与ZTX555相关器件

与ZTX555相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZTX555

ZTX555 技术参数

ZTX555 数据手册

与ZTX555相关器件

与ZTX555相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？