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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 35 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| ZTX502DA | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP |
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| ZTX502DB | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP |
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| ZTX502DC | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP |
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| ZTX502K | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
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| ZTX502M1TA | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
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| ZTX502M1TC | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
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