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ZTX501DA

更新时间: 2024-01-13 08:07:41
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 78K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP

ZTX501DA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.25 V
Base Number Matches:1

ZTX501DA 数据手册

  

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