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ZTX500STZ

更新时间： 2024-01-12 11:15:08

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捷特科 - ZETEX		/
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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技术参数
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ZTX500STZ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.19	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.35 V	Base Number Matches：	1

ZTX500STZ 数据手册

PNP SILICON PLANAR

ZTX500

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

ISSUE 1 MARCH 94

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-25

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-5

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

-500

°C

P_tot

300

T_j:T_stg

-55 to +175

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

MIN. TYP.

-25

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=-10µA

I_C=-5mA

I_E=-10µA

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V_CEO(sus)-25

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

-5

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

-0.2

V_CB=-25V

µA

Emitter Cut-Off Current I_EBO

-0.2

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.35

I_C=-50mA, I_B=-5mA*

I_C=-10mA, I_B=-1mA*

I_C=-10mA, V_CE=-6V*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-0.65

-1

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

300

Transition Frequency

f_T

150

MHz

I_C=-10mA, V_CE=-6V

f=100MHz

Output Capacitance

Noise Figure

C_obo

V_CB=-6V, f=1MHz

I_C=-100µA, R_S=1.5KΩ

f=1KHz

3-184

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