Datasheet > ZTX325STOA

ZTX325STOA

更新时间： 2024-10-30 21:06:27

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZTX325STOA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.06	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	0.85 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1300 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX325STOA 数据手册

NPN SILICON PLANAR

RF TRANSISTOR

ISSUE 2 MARCH 94

ZTX325

FEATURES

High f_T, 1.3GHz

Low noise < 5dB at 500MHz

Power output at 500MHz >175mW

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_AV

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

2.5

Emitter-Base Voltage

°C

Mean Collector Current (Averaged over 100µs)

Collector Current

I_CM

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

350

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V_CEO(SUS)15

I_C=10mA, I_B=0

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_E=10µA, I_C=0

Collector Cut-Off Current I_CBO

V_CB=15V, I_E=0

Emitter Cut-Off Current

I_CES

h_FE

V_CE=15V, V_BE=0

µA

Static Forward Current

Transfer Ratio

150

125

I_C=2mA, V_CE=1V*

I_C=25mA, V_CE=1V*

Transition Frequency

f_T

1.0

1.3

GHz

I_C=2mA, V_CE=5V, f=400MHz

I_C=25mA, V_CE=5V, f=400MHz

Capacitance, Collector

Depletion Layer

C_TC

C_TE

-C_re

1.5

2.0

V_CB=10V, I_E=I_e=0, f=1MHz

VEB=0.5V, I_C=I_c=0, f=1MHz

Capacitance, Emitter

Depletion Layer

Feedback Capacitance

0.85

V_CE=5V, I_C=2mA, f=1MHz

Feedback Time Constant r_bbC_b_c

2.0

V_CB=5V, -I_E=2mA, f=10.7MHz

3-161

中文翻译

下载PDF

与ZTX325STOA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX325STOB	ZETEX	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
ZTX325STZ	ZETEX	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
ZTX325STZ	DIODES	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
ZTX327	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR R.F. MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZTX327L	ZETEX	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
ZTX327SM	DIODES	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO
ZTX327SMTA	ZETEX	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO
ZTX327SMTC	DIODES	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO
ZTX327STOA	DIODES	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
ZTX327STOB	DIODES	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic

与ZTX325STOA相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

19
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZTX325STOA

ZTX325STOA 技术参数

ZTX325STOA 数据手册

与ZTX325STOA相关器件

与ZTX325STOA相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZTX325STOA

ZTX325STOA 技术参数

ZTX325STOA 数据手册

与ZTX325STOA相关器件

与ZTX325STOA相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？