ZTX325K

更新时间： 2024-09-13 13:00:11

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管局域网
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2页	55K
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX325K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.24	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1300 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX325K 数据手册

NPN SILICON PLANAR

RF TRANSISTOR

ISSUE 2 MARCH 94

ZTX325

FEATURES

High f_T, 1.3GHz

Low noise < 5dB at 500MHz

Power output at 500MHz >175mW

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_AV

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

2.5

Emitter-Base Voltage

°C

Mean Collector Current (Averaged over 100µs)

Collector Current

I_CM

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

350

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V_CEO(SUS)15

I_C=10mA, I_B=0

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_E=10µA, I_C=0

Collector Cut-Off Current I_CBO

V_CB=15V, I_E=0

Emitter Cut-Off Current

I_CES

h_FE

V_CE=15V, V_BE=0

µA

Static Forward Current

Transfer Ratio

150

125

I_C=2mA, V_CE=1V*

I_C=25mA, V_CE=1V*

Transition Frequency

f_T

1.0

1.3

GHz

I_C=2mA, V_CE=5V, f=400MHz

I_C=25mA, V_CE=5V, f=400MHz

Capacitance, Collector

Depletion Layer

C_TC

C_TE

-C_re

1.5

2.0

V_CB=10V, I_E=I_e=0, f=1MHz

VEB=0.5V, I_C=I_c=0, f=1MHz

Capacitance, Emitter

Depletion Layer

Feedback Capacitance

0.85

V_CE=5V, I_C=2mA, f=1MHz

Feedback Time Constant r_bbC_b_c

2.0

V_CB=5V, -I_E=2mA, f=10.7MHz

3-161

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