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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> ZTX323
ZTX323 PDF预览

ZTX323

更新时间： 2024-01-05 09:29:52
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页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS

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ZTX323 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.08最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：1.7 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PSIP-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W最小功率增益 (Gp)：15 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

ZTX323 数据手册

 浏览型号ZTX323的Datasheet PDF文件第2页 
NPN SILICON PLANAR  
ZTX320 ZTX321  
ZTX322 ZTX323  
HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS  
ISSUE 3 – APRIL 94  
FEATURES  
*
*
15 Volt VCEO  
fT=600 MHz  
APPLICATIONS  
VHF/UHF operation  
*
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IB  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
30  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
15  
3
V
V
Base Current  
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
500  
Ptot  
300  
Tj:Tstg  
-55 to +175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
VCEO(SUS) 15  
MIN.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
30  
V
IC=10µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=10µA, IC=0  
V
V(BR)EBO  
ICBO  
3
V
0.01  
0.2  
VCB=15V, IE=0  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
VEB=2V, IC=0  
Collector-Emitter ZTX320, ZTX322  
Saturation Voltage ZTX323  
ZTX321  
VCE(sat)  
0.4  
0.4  
0.4  
V
V
V
IC=10mA, IB=1mA  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=3mA, IB=0.3mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage ZTX323  
ZTX321  
ZTX320, ZTX322  
VBE(sat)  
1.0  
1.0  
1.0  
V
V
V
IC=10mA, IB=1mA  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=3mA, IB=0.3mA  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
ZTX320, ZTX321  
ZTX322  
ZTX323  
hFE  
20  
20  
100  
300  
150  
300  
IC=3mA, VCE=1V  
IC=3mA, VCE=1V  
IC=3mA, VCE=1V  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Cobo  
Cibo  
fT  
1.7  
1.6  
pF  
pF  
VCB=10V, f=1MHz  
VEB=0.5V, f=1MHz  
Transition Frequency at f=100MHz  
600  
400  
MHz IC=4mA, VCE=10V  
MHz IC=30mA, VCE=10V  
Noise Figure  
N
6
dB  
IE=1mA, VCE=6V  
RS=400Ω, f=60MHz  
Power Gain  
gpe  
typical  
15  
dB  
IC=6mA, VCB=12V  
f=200MHz  
3-159  
12

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