ZTX1055A

更新时间： 2024-09-29 22:06:27

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX1055A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

ZTX1055A 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 3 JANUARY 1995

ZTX1055A

FEATURES

V_CEO=120V

3 Amp continuous Current

6 Amp pulse Current

Very Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

Automotive Switching Circuit

Audio Driver Stages

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

175

120

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

500

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

P_tot

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

12 3 4

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