ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%), ZMY10B ... ZMY200B (1.3 W, 2%)
ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%),
ZMY10B ... ZMY200B (1.3 W, 2%)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes
Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-02-23
ZMY...G planar
ZMY... non-planar
ZMY3B9G ... ZMY9B1G
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 3.9...9.1 V
Glass case – Glasgehäuse MELF
DO-213AB
ZMY10B ... ZMY200B
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 10...200 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
DO-213AB
0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Zener voltage is selected to a tolerance of ~ ±2%.
Die Zener-Spannung ist selektiert auf ~ ±2% Toleranz.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
ZMY3B9G ... ZMY9B1G
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 50°C
Ptot
1.0 W 1)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+175°C
-50...+175°C
TJ
TS
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 150 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
< 70 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
ZMY10B ... ZMY200B
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 50°C
TA = 25°C
Ptot
1.3 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
PZSM
40 W
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+175°C
TJ
TS
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
< 10 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
2
1
2
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1