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ZMY33B

更新时间： 2024-11-14 20:39:51

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		IOT 测试二极管
页数	文件大小	规格书
2页	116K
描述
Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2

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ZMY33B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-213AB	包装说明：	O-PELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-213AB	JESD-30 代码：	O-PELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-50 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.3 W
标称参考电压：	33 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	25 mA
Base Number Matches：	1

ZMY33B 数据手册

ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%), ZMY10B ... ZMY200B (1.3 W, 2%)

ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%),

ZMY10B ... ZMY200B (1.3 W, 2%)

Surface Mount Silicon-Zener Diodes

Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2012-02-23

ZMY...G planar

ZMY... non-planar

ZMY3B9G ... ZMY9B1G

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 3.9...9.1 V

Glass case – Glasgehäuse MELF

DO-213AB

ZMY10B ... ZMY200B

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 10...200 V

Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF

Weight approx. – Gewicht ca.

DO-213AB

0.12 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

Zener voltage is selected to a tolerance of ~ ±2%.

Die Zener-Spannung ist selektiert auf ~ ±2% Toleranz.

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

ZMY3B9G ... ZMY9B1G

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 50°C

P_tot

1.0 W ¹)

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+175°C

T_J

T_S

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 150 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to terminal

R_thT

< 70 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss

ZMY10B ... ZMY200B

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 50°C

T_A= 25°C

P_tot

1.3 W ¹)

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

P_ZSM

40 W

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+175°C

T_J

T_S

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 45 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to terminal

R_thT

< 10 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss

Mounted on P.C. board with 50 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 50 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

http://www.diotec.com/

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与ZMY33B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZMY33C	EIC	获取价格	ZENER DIODES
ZMY33G	DIOTEC	获取价格	Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology)
ZMY33-GS08	VISHAY	获取价格	Silicon planar power Zener diodes
ZMY33-GS08/1.5	VISHAY	获取价格	DIODE 33 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB, HALOGEN FREE A
ZMY33GS18	VISHAY	获取价格	DIODE 33 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, GLASS PA
ZMY33-GS18	VISHAY	获取价格	Silicon planar power Zener diodes
ZMY36	VISHAY	获取价格	ZENER DIODES
ZMY36	GOOD-ARK	获取价格	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
ZMY36	DIOTEC	获取价格	Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
ZMY36	CDIL	获取价格	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

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