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ZMPTZ33B

更新时间: 2023-12-06 20:00:45
品牌 Logo 应用领域
先科 - SWST 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
稳压二极管

ZMPTZ33B 数据手册

 浏览型号ZMPTZ33B的Datasheet PDF文件第2页 
ZMPTZ3V6B...ZMPTZ36B  
Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes  
LL-41  
Features  
• Small surface mounting type  
• 1 W of power can be obtained despite compact size  
• High surge withstand level  
Applications  
• Voltage regulation and voltage limiting  
• Voltage surge absorption  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
Ptot  
Value  
1
Unit  
W
Power Dissipation  
O
C
Junction Temperature  
Tj  
150  
O
C
Storage Temperature Range  
Tstg  
- 55 to + 150  
O
Characteristics at Ta = 25 C (VF = 1.2 V Max. at IF = 200 mA)  
Zener Voltage  
Dynamic Resistance  
Reverse current  
at VR  
Type  
VZ  
at IZT  
(mA)  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
ZZT ()  
at IZT  
(mA)  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
IR (µA)  
Max.  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
Min. (V)  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
Max. (V)  
4
Max.  
15  
15  
15  
10  
8
(V)  
1
ZMPTZ3V6B  
ZMPTZ3V9B  
ZMPTZ4V3B  
ZMPTZ4V7B  
ZMPTZ5V1B  
ZMPTZ5V6B  
ZMPTZ6V2B  
ZMPTZ6V8B  
ZMPTZ7V5B  
ZMPTZ8V2B  
ZMPTZ9V1B  
ZMPTZ10B  
ZMPTZ11B  
ZMPTZ12B  
ZMPTZ13B  
ZMPTZ15B  
ZMPTZ16B  
ZMPTZ18B  
ZMPTZ20B  
ZMPTZ22B  
ZMPTZ24B  
ZMPTZ27B  
ZMPTZ30B  
ZMPTZ33B  
ZMPTZ36B  
4.4  
1
4.8  
1
5.2  
1
5.7  
1
6.3  
8
1.5  
3
7
6
7.7  
6
3.5  
4
8.4  
4
9.3  
4
5
10.2  
11.2  
12.3  
13.5  
15  
6
6
6
7
11  
8
8
12  
8
9
13.3  
14.7  
16.2  
18  
10  
10  
12  
12  
14  
14  
16  
16  
18  
18  
20  
10  
11  
12  
13  
15  
17  
19  
21  
23  
25  
27  
16.5  
18.3  
20.3  
22.4  
24.5  
27.6  
30.8  
34  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
37  
36  
40  
1) Tested with pulses tp = 20 ms.  
®
Dated : 18/07/2009  

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