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ZHCS1000

更新时间： 2024-02-09 00:54:57

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捷特科 - ZETEX		二极管
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3页	166K
描述
SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT”

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ZHCS1000 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.21
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.6 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	12 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.012 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

ZHCS1000 数据手册

SOT23 SILICON HIGH CURRENT

SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT”

ZHCS1000

ISSUE 2 - OCTOBER 1997

✪

FEATURES:

•

High current capability

•

Low V_F

APPLICATIONS:

•

Mobile telecomms, PCMIA & SCSI

•

DC-DC Conversion

PARTMARKING DETAILS : ZS1

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_R

VALUE

UNIT

Continuous Reverse Voltage

Forward Current

I_F

1000

425

Forward Voltage @ I_F= 1000mA(typ)

Average Peak Forward Current;D.C.= 50%

V_F

I_FAV

I_FSM

1750

5.2

Non Repetitive Forward Current t≤100µs

t≤10ms

Power Dissipation at T_amb= 25° C

Storage Temperature Range

Junction Temperature

P_tot

T_stg

T_j

500

-55 to + 150

125

° C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25° C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)R

MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Reverse Breakdown

Voltage

I_R= 300µA

Forward Voltage

V_F

240

265

305

355

390

425

495

420

270

290

340

400

450

500

600

—

I_F= 50mA*

I_F= 100mA*

I_F= 250mA*

I_F= 500mA*

I_F= 750mA*

I_F= 1000mA*

I_F= 1500mA*

I_F= 1000mA,T_a= 100° C

Reverse Current

I_R

100

V_R= 30V

µA

Diode Capacitance

C_D

t_rr

f= 1MHz,V_R= 25V

Reverse Recovery

Time

switched from

I_F= 500mA to I_R=

500mA

Measured at I_R= 50mA

*Measured under pulsed conditions. Pulse width= 300µs. Duty cycle ≤2%

12 3

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