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ZE1.3C9V1

更新时间： 2024-11-19 14:51:15

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先科 - SWST		稳压二极管
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稳压二极管

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ZE1.3C9V1 数据手册

ZE1.3C

SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

Features

• Glass passivated chip

• Built-in strain relief

• Low inductance

• High peak reverse power dissipation

• Low reverse leakage

• For use in stabilizing and clipping with high power rating

Mechanical Data

• Case: DO-41 Molded plastic

• Lead: Solderable per MIL-STD-750, method 2026

• Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Mounting position: Any

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

Unit

Power Dissipation

T_L= 75℃

1.3

T_j

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

℃

T_Stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

R_θJL

Max.

Unit

Thermal Resistance Junction to Lead ¹⁾

℃/W

¹⁾T_L= Lead temperature at 3/8'' (9.5mm)from body.

1 / 3

Dated: 13/12/2022 SZ Rev: 01

12 3

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