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ZCN9150A

更新时间： 2024-11-14 21:05:47

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	78K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 0.32A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZCN9150A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.03	其他特性：	FAST
最大集电极电流 (IC)：	0.32 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	475 ns	标称接通时间 (ton)：	14 ns
Base Number Matches：	1

ZCN9150A 数据手册

N-CHANNEL IGBT

ZCN9150A

WITH INTEGRAL DIODE

DRAFT DATASHEET ISSUE C FEBRUARY 95

FEATURES

500 Volt V_CE

Integral Diode

Fast Switching

APPLICATIONS

Compact Fluorescent Ballast

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (at T

=25°C unless otherwise stated)

amb

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

500

UNIT

Forward Drain-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

0.32

Pulsed Collector Current

@ T

=25°C

=125°C

amb

CMR

amb

Gate-Emitter Voltage

Power Dissipation at T

±20

0.6

=25°C

°C

amb

tot

Practical Power Dissipation at T

=25°C*

0.8

amb

totp

Operating and Storage Temperature Range

T :T

-55 to +125

stg

*With the device mounted in a typical manner with at least 1 inch sq of copper.

NOTE:

This data is derived from development material and does not necessarily mean that the device

will go into production.

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