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ZC833TC

更新时间: 2024-01-23 03:16:31
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美台 - DIODES 光电二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt

ZC833TC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.06
其他特性:LOW NOISE最小击穿电压:25 V
配置:SINGLE二极管电容容差:20%
最小二极管电容比:5标称二极管电容:33 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.33 W
认证状态:Not Qualified最小质量因数:200
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40变容二极管分类:HYPERABRUPT
Base Number Matches:1

ZC833TC 数据手册

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