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ZC821B

更新时间： 2024-11-13 21:10:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
Variable Capacitance Diode, 15pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-2

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ZC821B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：O-PBCY-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.14
Is Samacsys：N最小击穿电压：25 V
配置：SINGLE二极管电容容差：5%
最小二极管电容比：5标称二极管电容：15 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：O-PBCY-W2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
最大功率耗散：0.3 W认证状态：Not Qualified
最小质量因数：300表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
变容二极管分类：HYPERABRUPTBase Number Matches：1

ZC821B 数据手册

 浏览型号ZC821B的Datasheet PDF文件第2页 
SILICON ION-IMPLANTED  
ZC820  
SERIES  
HYPERABRUPT TUNER DIODES  
ISSUE 2 – MARCH 94  
DIODE PIN CONNECTION  
1
2
1
2
CATHODE  
ANODE  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
MAX  
25  
UNIT  
Reverse Voltage  
VR  
IF  
V
mA  
mW  
°C  
Forward Current  
200  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Ptot  
Tj  
300  
125  
Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
=25°C)  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN  
TYP  
MAX  
0.02  
0.04  
UNIT CONDITIONS  
µA  
Reverse Voltage Leakage  
IR  
Temperature Coefficient  
of Capacitance  
0.03  
%/°C VR=3V  
η
TUNING CHARACTERISTICS (at T  
amb  
=25°C)  
PART  
NO  
Nominal Capacitance  
in pF  
@ VR=2V, f=1MHz  
Minimum  
Q
@ VR=3V  
f=50MHz  
Capacitance Ratio  
C2 /C20,  
at f=1MHz  
MIN  
8
NOM  
10  
MAX  
12  
MIN  
5
MAX  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
ZC820  
300  
300  
200  
200  
200  
100  
100  
ZC821  
ZC822  
ZC823  
ZC824  
ZC825  
ZC826  
12  
15  
18  
5
17.6  
26.4  
37.6  
54.4  
80  
22  
26.4  
39.6  
56.4  
81.6  
120  
5
33  
5
47  
5
68  
5
100  
5
*Available with 2V nominal capacitance ±10 suffix A, ± 5% suffix B  
3-107  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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