5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.18 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最小击穿电压： | 30 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 5% | 最小二极管电容比： | 2.8 |
| 标称二极管电容： | 100 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 100 | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 最大反向电流： | 2e-8 µA | 反向测试电压： | 25 V |
| 子类别： | Varactors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 变容二极管分类： | ABRUPT |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZC714C | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 30V, |
|
| ZC800-10M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
| ZC800-2M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
| ZC800-4M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
| ZC800-5M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
| ZC800-7M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
| ZC800-8M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
| ZC800A-10M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
| ZC800A-2M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
| ZC800A-3M | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), Silico |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
