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Z02W100V

更新时间： 2024-09-13 02:50:55

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KEC		二极管齐纳二极管局域网
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2页	438K
描述
ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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Z02W100V 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.79	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	100 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	1 mA	Base Number Matches：	1

Z02W100V 数据手册

Z02W100V

SEMICONDUCTOR

ZENER DIODE

TECHNICAL DATA

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.

REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.

WAVE FORM CLIPPER

DIM

MILLIMETERS

2.93+0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

FEATURES

Small Package : SOT-23

Sharp breakdown characteristic.

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

CHARACTERISTIC

Power Dissipation

SYMBOL

RATING

200

UNIT

P_D

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Operating Temperature

150

1. NC

2. ANODE

3. CATHODE

T_stg

T_opr

-55 150

SOT-23

Marking

Lot No.

Type Name

10A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

105. 0

700

UNIT

V_Z

Z_Z

I_R

I_Z=1mA

Zener Voltage

(Note1)

(Note2)

95. 0

I_Z=1mA

V_R=76V

Dynamic Impedan

Reverse Current

0.2

(Note 1) V_Zis tested with pulsed (40ms)

(Note 2) V_Zis measured at I_Zby given a very small A.C current signal.

2007. 2. 21

Revision No : 0

1/2

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