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Z0107NA

更新时间： 2024-11-28 17:01:47
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瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
14页 578K
描述
Planar passivated very sensitive gate four quadrant triac in a SOT54 (TO-92) plastic package intended for use in applications requiring direct interfacing to logic ICs and low power gate drivers.

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Z0107NA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-43A, 3 PINReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.59
其他特性：SENSITIVE GATE配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1 A
参考标准：IEC-60134断态重复峰值电压：800 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

Z0107NA 数据手册

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Z0107NA  
4Q Triac  
Rev.02 - 17 November 2021  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated very sensitive gate four quadrant triac in a TO92 plastic package intended for use  
in applications requiring direct interfacing to logic ICs and low power gate drivers.  
2. Features and benefits  
•
High blocking voltage capability  
•
•
•
•
•
Very sensitive gate  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Triggering in all four quadrants  
Direct interfacing to logic level ICs  
Direct interfacing to low power gate drive circuits  
3. Applications  
•
•
•
•
Industrial process control  
General purpose low power motor control  
Home appliances  
Low power AC Fan controllers  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Absolute maximum rating  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
repetitive peak off-state  
voltage  
-
-
-
-
-
-
800  
1
V
A
A
RMS on-state current  
full sine wave; Tlead ≤ 45 °C;  
Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3  
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 20 ms;  
8
state current  
Fig. 4; Fig. 5  
full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 16.7 ms  
-
-
8.5  
A
Tj  
junction temperature  
-
-
125  
Max  
°C  
Symbol Parameter  
Static characteristics  
Conditions  
Min  
Typ  
Unit  
IGT  
gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
-
-
-
-
-
-
-
5
5
5
7
mA  
mA  
mA  
mA  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
IH  
holding current  
VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9  
IT = 1 A; Tj = 25 °C; Fig. 10  
-
-
-
10  
mA  
V
VT  
on-state voltage  
1.3  
1.6  
1234567...14

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