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YJS4606B

更新时间： 2024-11-19 17:01:03

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扬杰 - YANGJIE		/
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SOP-8

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YJS4606B 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJS4606B

N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET

Product Summary

NMOS

● V_DS

30V

● I_D

● R_DS(ON)( at V_GS=10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)

＜18mΩ

＜30mΩ

PMOS

● V_DS

-30V

● I_D

-5A

● R_DS(ON)( at V_GS=-10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-4.5V)

＜43mΩ

＜63mΩ

General Description

● Trench Power LV MOSFET technology

● High density cell design for low RDS(ON)

● High Speed switching

● Moisture Sensitivity Level 3

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● Wireless charger

● Load switch

● Power management

Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

NMOS

PMOS

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

-30

V_GS

±20

-5

T_A=25℃

Drain Current

I_D

4.4

-3

T_A=100℃

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation ^B

I_DM

-40

T_A=25℃

P_D

℃

0.8

T_A=100℃

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+150

■Thermal resistance

NMOS

PMOS

Parameter

Symbol

Units

Typ

Max

Typ

Max

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^C

Steady-State

R_θJA

℃/W

Ordering Information (Example)

■

PACKING

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

PREFERED P/N

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJS4606B

4606B

4000

8000

64000

13“ reel

1 / 10

S-E344

Rev.1.0,09-May-23

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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