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YJS4438A

更新时间： 2024-11-19 17:01:15

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扬杰 - YANGJIE		/
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SOP-8

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YJS4438A 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJS4438A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

60V

● I_D

8.2A

● R_DS(ON)( at V_GS= 10V)

● R_DS(ON)( at V_GS= 4.5V)

＜22mohm

＜34mohm

General Description

● Trench Power MV MOSFET technology

●High density cell design for Low R_DS(ON)

● High Speed switching

Applications

● Battery protection

● Load switch

● Power management

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

±20

8.2

Gate-source Voltage

Drain Current ^A

T_A=25℃

T_A=70℃

I_D

6.6

Pulsed Drain Current ^B

Total Power Dissipation

I_DM

T_A=25℃

3.1

P_D

T_A=70℃

t≤ 10s

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

R_θJA

℃/ W

Steady-State

Thermal Resistance Junction-to-Case

R_θJL

℃/ W

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+150

℃

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJS4438A

Q4438

4000

8000

64000

13“ reel

1 / 7

S-E630

Rev.3.0,30-Jun-20

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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