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YJS2022A

更新时间： 2024-03-03 10:10:59

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扬杰 - YANGJIE		/
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7页	1229K
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SOP-8

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YJS2022A 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJS2022A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

-20V

● I_D

-13A

● R_DS(ON)( at V_GS= -4.5V)

● R_DS(ON)( at V_GS= -2.5V)

● R_DS(ON)( at V_GS= -1.8V)

＜17mohm

＜20mohm

＜26mohm

General Description

● Trench Power MV MOSFET technology

● High density cell design for Low R_DS(ON)

● High Speed switching

Applications

● Battery protection

● Load switch

● Power management

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Maximum

-20

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

±10

T_A=25℃ @ Steady State

T_A=70℃ @ Steady State

-13

I_D

-10.4

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation @ T_A=25℃

I_DM

-55

3.0

P_D

Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State ^B

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

℃/W

℃

T_J,T_STG

-55～+150

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJS2022A

Q2022

4000

8000

64000

13“ reel

1 / 7

S-E641

Rev.3.0,18-Feb-20

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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