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YJS18N03A

更新时间： 2024-11-19 17:01:07

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扬杰 - YANGJIE		/
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SOP-8

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YJS18N03A 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJS18N03A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

30V

● I_D

18A

● R_DS(ON)( at V_GS= 10V)

● R_DS(ON)( at V_GS= 4.5V)

＜7.0mohm

＜10.0mohm

General Description

● Trench Power LV MOSFET technology

● High density cell design for low R_DS(ON)

● High Speed switching

● Moisture Sensitivity Level 3

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● Battery protection

● Load switch

● Power management

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

±20

T_A=25℃ @ Steady State

T_A=70℃ @ Steady State

I_D

14.5

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation @ T_A=25℃

I_DM

3.0

P_D

Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State ^B

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

℃/W

℃

T_J,T_STG

-55～+150

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJS18N03A

Q18N03.

4000

8000

64000

13“ reel

1 / 7

S-E612

Rev.3.1,4-Sep-23

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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