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YJS06GP06A

更新时间： 2024-11-21 17:00:59

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扬杰 - YANGJIE		/
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SOP-8

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YJS06GP06A 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJS06GP06A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

-60V

● I_D

-5.9A

● R_DS(ON)( at V_GS=-10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-4.5V)

● 100% UIS Tested

＜47 mohm

＜60 mohm

General Description

● Split gate trench MOSFET technology

● High density cell design for low R_DS(ON)

● Low Crss

Applications

● Load switch

● Battery protection

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

-60

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

±20

-5.9

V_GS

T_A=25℃

T_A=100℃

Drain Current

I_D

-3.7

Pulsed Drain Current ^A

Avalanche energy ^B

I_DM

EAS

-30

Total Power Dissipation^C

T_A=25℃

P_D

3.1

-55～+150

℃

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

■Thermal resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Typ

Max

Units

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^D

Thermal Resistance Junction-to-Lead

t≤10S

Steady-State

℃/W

R_θJL

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJS06GP06A

Q06GP06A

4000

8000

64000

13“ reel

1 / 6

S-E431

Rev.2.0,27-Oct-21

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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