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YJS05GP10A

更新时间： 2024-03-03 10:05:59

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扬杰 - YANGJIE		/
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SOP-8

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YJS05GP10A 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJS05GP10A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

-100V

● I_D

-4.5A

● R_DS(ON)( at V_GS=-10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-4.5V)

● 100% EAS Tested

● 100% ▽VDS Tested

＜110 mohm

＜120 mohm

General Description

● Split gate trench MOSFET technology

● High density cell design for low R_DS(ON)

● Low Crss(Typ.25pF)

● Moisture Sensitivity Level 3

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● DC motor control

● power supplies

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

-100

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

±20

-4.5

T_A=25℃

Drain Current

I_D

T_A=100℃

-2.85

-18

Pulsed Drain Current ^A

Avalanche energy ^B

I_DM

EAS

T_A=25℃

1.65

Total Power Dissipation

P_D

T_A=100℃

0.65

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+150

℃

■Thermal resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Typ

Max

Units

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^C

Thermal Resistance Junction-to-Lead

t≤10S

Steady-State

℃/W

R_θJL

Ordering Information (Example)

■

PACKING

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

PREFERED P/N

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJS05GP10A

Q05P10A

4000

8000

64000

13“ reel

1 / 6

S-E433

Rev.1.2,30-Mar-23

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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