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YJQ3611B

更新时间： 2024-04-24 09:03:39
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扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
10页 598K
描述
DFN3333-8L

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YJQ3611B 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
YJQ3611B  
N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET  
Product Summary  
NMOS  
● VDS  
30V  
● ID  
20A  
● RDS(ON)( at VGS=10V)  
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)  
＜30mΩ  
＜50mΩ  
PMOS  
● VDS  
-30V  
● ID  
-20A  
● RDS(ON)( at VGS=-10V)  
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)  
● 100% EAS Tested  
＜40mΩ  
＜60mΩ  
General Description  
● Trench Power LV MOSFET technology  
● High density cell design for low RDS(ON)  
● High Speed switching  
● Moisture Sensitivity Level 3  
● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
● Halogen Free  
Applications  
● Wireless charger  
● Load switching  
● Power management  
Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise noted)  
■
A
Parameter  
Symbol  
NMOS  
PMOS  
Unit  
V
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
30  
-30  
VGS  
±20  
±20  
V
5
-5  
TA=25℃  
3
-3  
TA=100℃  
TC=25℃  
Drain Current  
ID  
A
20  
-20  
12  
-12  
TC =100℃  
Pulsed Drain Current A  
Avalanche energy B  
IDM  
30  
-40  
A
EAS  
9
16  
mJ  
1.6  
2
0.8  
TA=25℃  
TA=100℃  
TC=25℃  
TC =100℃  
0.6  
Total Power Dissipation C  
PD  
W
16  
6
27  
11  
Junction and Storage Temperature Range  
■Thermal resistance  
Parameter  
TJ ,TSTG  
-55～+150  
-55～+150  
℃
NMOS  
PMOS  
Symbol  
Units  
Typ  
60  
6
Max  
Typ  
50  
Max  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient D  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
RθJA  
RθJC  
75  
62.5  
4.5  
℃/W  
7.5  
3.5  
Ordering Information (Example)  
■
PACKING  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
PREFERED P/N  
Marking  
DELIVERY MODE  
CODE  
YJQ3611B  
F1  
Q3611B  
5000  
10000  
100000  
13’’ reel  
1 / 10  
S-E352  
Rev.1.0,02-Jun-23  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
1234567...10

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