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YJQ35N04A

更新时间: 2024-11-19 15:19:35
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扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
7页 654K
描述
DFN3333-8L

YJQ35N04A 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
YJQ35N04A  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Product Summary  
● VDS  
40 V  
● ID  
35 A  
● RDS(ON)( at VGS= 10V)  
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)  
100% UIS Tested  
100% VDS Tested  
8.0mohm  
13mohm  
General Description  
● Trench Power LV MOSFET technology  
Excellent package for heat dissipation  
High density cell design for low RDS(ON)  
Applications  
High current load applications  
Load switching  
Hard switched and high frequency circuits  
Uninterruptible power supply  
Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
VGS  
40  
±20  
35  
V
V
TA=25℃  
Drain Current  
ID  
A
TA=100℃  
22  
Pulsed Drain Current A  
IDM  
160  
A
Single Pulse Avalanche Energy B  
EAS  
120  
mJ  
40  
TC=25℃  
TA=25℃  
Total Power Dissipation  
PD  
W
4.1  
RθJC  
RθJA  
3.1  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
/ W  
30  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ ,TSTG  
-55+150  
Ordering Information (Example)  
PACKING  
PREFERED P/N  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
Marking  
DELIVERY MODE  
CODE  
YJQ35N04A  
F1  
Q35N04  
5000  
10000  
100000  
13reel  
1 / 7  
S-E621  
Rev.3.0,20-Feb-20  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  

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