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YJQ3407B

更新时间： 2024-09-28 15:19:11

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扬杰 - YANGJIE		/
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7页	549K
描述
DFN2020-6L

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YJQ3407B 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJQ3407B

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

-30 V

● I_D

-10 A

● R_DS(ON)( at V_GS=-10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-4.5V)

＜40 mΩ

＜60 mΩ

General Description

● Trench Power LV MOSFET technology

● High density cell design for Low R_DS(ON)

● High Speed switching

● Moisture Sensitivity Level 3

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● Battery protection

● Load switch

● Power management

Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

-30

±20

-10

T_A=25℃

-6

T_A=100℃

T_C=25℃

Drain Current

I_D

-4

-2.5

-40

T_C=100℃

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation ^B

I_DM

1.5

T_A=25℃

T_A=100℃

T_C=25℃

T_C=100℃

0.6

P_D

℃

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+150

■Thermal resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Typ

Max

Units

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^C

Thermal Resistance Junction-to-Case

Steady-State

℃/W

R_θJC

6.5

Ordering Information (Example)

■

PACKING

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

DELIVERY

MODE

PREFERED P/N

Marking

CODE

YJQ3407B

Q3407B

3000

30000

120000

7” reel

1 / 7

S-E329

Rev.1.0,25-Apr-23

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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