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YJQ20NP03A

更新时间: 2024-11-19 15:19:03
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扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
10页 768K
描述
DFN3333-8L

YJQ20NP03A 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
YJQ20NP03A  
N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET  
Product Summary  
NMOS  
VDS  
30V  
ID  
20A  
RDS(ON)( at VGS=10V)  
RDS(ON)( at VGS=4.5V)  
PMOS  
20mΩ  
30mΩ  
VDS  
-30V  
ID  
-20A  
RDS(ON)( at VGS=-10V)  
RDS(ON)( at VGS=-4.5V)  
100% EAS Tested  
18mΩ  
25mΩ  
General Description  
● Trench Power LV MOSFET technology  
● Excellent package for heat dissipation  
Moisture Sensitivity Level 3  
Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
Halogen Free  
Applications  
● Load switching  
● Hard switched and high frequency circuits  
● Uninterruptible power supply  
Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
NMOS  
PMOS  
Unit  
V
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
30  
-30  
±20  
7.5  
VGS  
±20  
V
6.5  
TA=25  
4
4.7  
TA=100℃  
TC=25℃  
Drain Current  
ID  
A
20  
-20  
12  
-12  
TC =100℃  
Pulsed Drain Current A  
Avalanche energy B  
IDM  
60  
-80  
A
EAS  
25  
81  
mJ  
2
0.8  
2
TA=25℃  
TA=100℃  
TC=25℃  
TC =100℃  
0.8  
Total Power Dissipation C  
PD  
W
27  
22  
11  
9
Junction and Storage Temperature Range  
Thermal resistance  
Parameter  
TJ ,TSTG  
-55+150  
-55+150  
NMOS  
PMOS  
Symbol  
Units  
Typ  
50  
Max  
Typ  
50  
Max  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient D  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
RθJA  
RθJC  
62.5  
4.5  
62.5  
5.5  
/W  
3.5  
4.5  
Ordering Information (Example)  
PACKING  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
PREFERED P/N  
Marking  
DELIVERY MODE  
CODE  
YJQ20NP03A  
F1  
Q20NP03A  
5000  
10000  
100000  
13’’ reel  
1 / 10  
S-E312  
Rev.1.0,21-Mar-23  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  

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