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YJQ15GP10AQ

更新时间: 2024-11-19 17:01:39
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扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
7页 353K
描述
DFN3333-8L

YJQ15GP10AQ 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
YJQ15GP10AQ  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Product Summary  
● VDS  
-100V  
-15A  
● ID  
● RDS(ON)( at VGS=10V)  
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)  
● 100% EAS Tested  
110mΩ  
120mΩ  
General Description  
● Split gate trench MOSFET technology  
● Excellent package for heat dissipation  
● High density cell design for low RDS(ON)  
● Part no. with suffix ”Q” means AEC-Q101 qualified  
Applications  
● Power switching application  
● Uninterruptible power supply  
● DC-DC convertor  
12V, 24V and 48V Automotive systems  
Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
-100  
±20  
Unit  
V
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
VGS  
V
-3.9  
-2.5  
-15  
TA=25  
TA=100℃  
TC=25℃  
Drain Current  
ID  
A
-9.5  
-35  
TC =100℃  
Pulsed Drain Current A  
Avalanche energy B  
IDM  
A
EAS  
64  
mJ  
2.5  
TA=25℃  
TA=100℃  
TC=25℃  
TC =100℃  
1
Total Power Dissipation C  
PD  
W
43  
17.2  
-55+150  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ ,TSTG  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Typ  
40  
Max  
50  
Units  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient D  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
/W  
RθJC  
2.4  
2.9  
Ordering Information (Example)  
PACKING  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
DELIVERY  
MODE  
PREFERED P/N  
Marking  
CODE  
YJQ15GP10AQ  
F1  
Q15GP10A  
5000  
10000  
100000  
13“ reel  
1 / 7  
S-D249  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
Rev.1.1,11-Jul-23  

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