5秒后页面跳转
YJQ13N03A PDF预览

YJQ13N03A

更新时间: 2024-04-09 19:01:24
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
7页 1191K
描述
DFN2020-6L

YJQ13N03A 数据手册

 浏览型号YJQ13N03A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号YJQ13N03A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号YJQ13N03A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号YJQ13N03A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号YJQ13N03A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号YJQ13N03A的Datasheet PDF文件第7页 
RoHS  
COMPLIANT  
YJQ13N03A  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Product Summary  
● VDS  
30V  
● ID  
13A  
● RDS(ON)( at VGS=10V)  
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)  
12 mohm  
15 mohm  
General Description  
● Trench Power LV MOSFET technology  
● Excellent package for heat dissipation  
● High density cell design for low RDS(ON)  
Applications  
● High current load applications  
● Load switching  
DFN2x2-6L  
● Hard switched and high frequency circuits  
● Uninterruptible power supply  
Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
±20  
13  
V
V
TC=25℃  
Drain Current  
ID  
A
TC=100℃  
8.0  
Pulsed Drain Current A  
Total Power Dissipation  
IDM  
55  
A
W
TC=25℃  
2.9  
PD  
TC=100℃  
1.2  
W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient B  
Junction and Storage Temperature Range  
RθJA  
43  
/ W  
TJ ,TSTG  
-55+150  
Ordering Information (Example)  
PACKING  
PREFERED P/N  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
Marking  
DELIVERY MODE  
CODE  
YJQ13N03A  
F1  
Q13N03  
3000  
30000  
120000  
7” reel  
1 / 8  
S-E607  
Rev.3.2,22-Feb-21  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  

与YJQ13N03A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
YJQ15GP10A YANGJIE DFN3333-8L

获取价格

YJQ15GP10AQ YANGJIE DFN3333-8L

获取价格

YJQ16N025A YANGJIE DFN2020-6L

获取价格

YJQ18N06A YANGJIE DFN3333-8L

获取价格

YJQ18N06AQ YANGJIE DFN3333-8L

获取价格

YJQ2012A YANGJIE DFN2020-6L

获取价格