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YJQ120N10B

更新时间： 2024-11-19 18:09:27

品牌	Logo	应用领域
扬杰 - YANGJIE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	698K
描述
PDFN3333-8L

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YJQ120N10B 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJQ120N10B

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

100V

● I_D

10A

● R_DS(ON)( at V_GS=10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)

● 100% EAS Tested

● 100% ▽VDS Tested

＜120mΩ

＜130mΩ

General Description

● Trench Power MV MOSFET technology

● Excellent package for heat dissipation

● High density cell design for low R_DS(ON)

● Moisture Sensitivity Level 1

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● Power management functions

● DC-DC convertor

Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

100

±20

2.6

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

T_A=25℃

T_A=100℃

T_C=25℃

T_C=100℃

Continuous Drain Current

(Note 1,2 )

Steady-State

1.8

I_D

Continuous Drain Current

(Note 1,3 )

Pulsed Drain Current

Avalanche energy

I_DM

T_C=25℃, t_p=100µs

EAS

V_G=10V, R_G=25Ω, L=0.5mH, IAS=8.5

2.5

T_A=25℃

Steady-State

Total Power Dissipation

(Note 1,2)

1.25

T_A=100℃

P_D

T_C=25℃

Steady-State

Total Power Dissipation

(Note 1,3 )

T_C=100℃

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+175

℃

■Thermal resistance

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

Thermal Resistance Junction-to-Ambient (Note 2)

Thermal Resistance Junction-to-Case

Steady-State

R_θJA

R_θJC

℃/W

3.5

4.2

Ordering Information (Example)

■

PACKING

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

DELIVERY

MODE

PREFERED P/N

Marking

CODE

YJQ120N10B

Q120N10

5000

10000

100000

13“ reel

1 / 8

S-E525

Rev.1.0,27-Mar-24

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

12 3 4 5 6 7 8

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