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YJQ10N02A

更新时间： 2024-03-03 10:10:54

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扬杰 - YANGJIE		/
页数	文件大小	规格书
7页	1277K
描述
DFN2020-6L

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YJQ10N02A 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJQ10N02A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

20V

● I_D

13A

● R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)

＜9mohm

● R_DS(ON)( at V_GS=2.5V)

● R_DS(ON)( at V_GS=1.8V)

● 100% ▽V_DSTested

＜12mohm

＜18.5mohm

General Description

● Trench Power LV MOSFET technology

● High density cell design for Low RDS(ON)

● High Speed switching

DFN2x2-6L

Applications

● Battery protection

● Load switch

● Power management

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

±10

T_A=25℃

Drain Current

I_D

T_A=70℃

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation

I_DM

T_A=25℃

T_A=70℃

2.2

P_D

1.4

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^B

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

℃/ W

℃

T_J,T_STG

-55～+150

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJQ10N02A

Q10N02

3000

30000

120000

7“ reel

1 / 7

S-E006

Rev.3.1,22-Feb-21

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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