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YJP90G15A

更新时间： 2024-11-19 15:17:15

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扬杰 - YANGJIE		/
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8页	690K
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TO-220

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YJP90G15A 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJP90G15A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

150V

90A

● I_D

● R_DS(ON)( at V_GS=10V)

● 100% EAS Tested

● 100% ▽VDS Tested

＜12mΩ

General Description

● Split gate trench MOSFET technology

● Excellent package for heat dissipation

● High density cell design for low R_DS(ON)

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● Power switching application

● Uninterruptible power supply

● DC-DC convertor

Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

150

±20

T_A=25℃

T_A=100℃

T_C=25℃

Drain Current

I_D

T_C=100℃

Pulsed Drain Current ^A

Avalanche energy ^B

I_DM

250

400

EAS

T_A=25℃

T_A=100℃

T_C=25℃

T_C=100℃

1.2

Total Power Dissipation ^C

P_D

178

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+150

℃

■Thermal resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Typ

Max

Units

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^D

Thermal Resistance Junction-to-Case

Steady-State

℃/W

R_θJC

0.6

0.7

Ordering Information (Example)

■

PACKING

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

DELIVERY

MODE

PREFERED P/N

Marking

CODE

YJP90G15A

5000

Tube

1 / 8

S-E378

Rev.1.0,02-Aug-23

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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