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YJL3439KADW

更新时间: 2024-11-22 15:19:47
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扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
10页 552K
描述
SOT-363

YJL3439KADW 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
YJL3439KADW  
N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET  
Product Summary  
NMOS  
VDS  
20V  
ID  
0.8A  
RDS(ON)( at VGS=4.5V)  
RDS(ON)( at VGS=2.5V)  
RDS(ON)( at VGS=1.8V)  
300mΩ  
400mΩ  
950mΩ  
ESD Protected Up to 2.0KV (HBM)  
PMOS  
VDS  
-20V  
ID  
-0.5A  
RDS(ON)( at VGS=-4.5V)  
RDS(ON)( at VGS=-2.5V)  
RDS(ON)( at VGS=-1.8V)  
850mΩ  
1200mΩ  
2000mΩ  
ESD Protected Up to 2.0KV (HBM)  
General Description  
Trench Power LV MOSFET technology  
High density cell design for Low RDS(ON)  
● High Speed switching  
● Moisture Sensitivity Level 1  
● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
● Halogen Free  
Applications  
● Interfacing, Logic switch  
● Load switch  
● Power management  
Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
NMOS  
20  
PMOS  
-20  
Unit  
V
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
VGS  
±10  
±10  
V
0.8  
-0.5  
TA=25  
Drain Current  
ID  
A
A
0.5  
-0.3  
TA=100℃  
Pulsed Drain Current A  
Total Power Dissipation B  
IDM  
3
-2  
0.29  
0.11  
-55+150  
0.27  
0.1  
TA=25℃  
PD  
W
TA=100℃  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ ,TSTG  
-55+150  
Thermal resistance  
Parameter  
NMOS  
PMOS  
Symbol  
Units  
Typ  
Max  
Typ  
380  
Max  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient C  
Steady-State  
RθJA  
350  
420  
460  
/W  
Ordering Information (Example)  
PACKING  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
PREFERED P/N  
Marking  
DELIVERY MODE  
CODE  
YJL3439KADW  
F2  
49KA  
3000  
30000  
120000  
7“ reel  
1 / 10  
S-E388  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
Rev.1.0,25-Sep-23  

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