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YJL3407AQ

更新时间： 2024-11-26 15:19:35

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扬杰 - YANGJIE		/
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7页	414K
描述
SOT-23

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YJL3407AQ 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJL3407AQ

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

-30V

● I_D

-4.1A

● R_DS(ON)( at V_GS=-10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-4.5V)

＜49mohm

＜65mohm

General Description

● Trench Power LV MOSFET technology

● High density cell design for Low R_DS(ON)

● High Speed switching

● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified

Applications

● Battery protection

● Load switch

● Power management

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

-30

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_GS

±20

-4.1

T_A=25℃

Drain Current

I_D

T_A=70℃

-3.2

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation

I_DM

-15

T_A=25℃

T_A=70℃

1.2

P_D

0.8

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^B

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

105

℃/ W

℃

T_J,T_STG

-55～+150

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJL3407AQ

3407.

3000

30000

120000

7“ reel

1 / 7

S-S3423

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

Rev.1.2,12-Jul-22

12 3 4 5 6 7

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