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YJL3400B

更新时间： 2024-11-22 17:02:15

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扬杰 - YANGJIE		/
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8页	716K
描述
SOT-23

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YJL3400B 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJL3400B

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

30V

● I_D

5.6A

● R_DS(ON)( at V_GS=10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)

● R_DS(ON)( at V_GS=2.5V)

＜27mΩ

＜29mΩ

＜45mΩ

General Description

● Trench Power MV MOSFET technology

● High Speed switching

● Moisture Sensitivity Level 1

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● PWM application

● Load switch

Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

±12

5.6

T_A=25℃

Drain Current

I_D

3.5

T_A=100℃

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation ^B

I_DM

T_A=25℃

P_D

℃

0.4

T_A=100℃

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+150

■Thermal resistance

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^C

Steady-State

R_θJA

100

125

℃/W

Ordering Information (Example)

■

PACKING

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

DELIVERY

MODE

PREFERED P/N

Marking

CODE

YJL3400B

3400B.

3000

30000

120000

7“ reel

1 / 8

S-E367

Rev.1.0,07-Jul-23

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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