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YJL3139KAT

更新时间： 2024-11-22 15:18:23

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扬杰 - YANGJIE		/
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7页	677K
描述
SOT-723

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YJL3139KAT 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJL3139KAT

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

-20 V

● I_D

-0.5 A

● R_DS(ON)( at V_GS=-4.5V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-2.5V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-1.8V)

＜850 mΩ

＜1200 mΩ

＜2000 mΩ

General Description

● Trench Power LV MOSFET technology

● Extremely low switching loss

● Excellent stability and uniformity

● Moisture Sensitivity Level 1

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● PWM application

● Portable equipment

Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

-20

±10

-0.5

T_A=25℃

Drain Current

I_D

-0.3

T_A=100℃

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation ^B

I_DM

-2.5

0.28

T_A=25℃

P_D

℃

0.1

T_A=100℃

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+150

■Thermal resistance

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^C

Steady-State

R_θJA

350

450

℃/W

Ordering Information (Example)

■

PACKING

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

DELIVERY

MODE

PREFERED P/N

Marking

CODE

YJL3139KAT

8000

80000

320000

7“ reel

1 / 7

S-E210

Rev.1.0,31-Mar-22

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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