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YJL2312AQ

更新时间： 2024-11-22 15:18:07

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扬杰 - YANGJIE		/
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7页	381K
描述
SOT-23

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YJL2312AQ 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJL2312AQ

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

20V

● I_D

6.8A

● R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)

● R_DS(ON)( at V_GS=2.5V)

● R_DS(ON)( at V_GS=1.8V)

＜18mohm

＜22mohm

＜39mohm

General Description

● Trench Power LV MOSFET technology

● High Power and current handing capability

● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified

Applications

● PWM applications

● Load switch

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

±10

6.8

T_A=25℃

Drain Current

I_D

T_A=70℃

5.4

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation

I_DM

T_A=25℃

T_A=70℃

1.25

0.8

P_D

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^B

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

100

℃/ W

℃

T_J,T_STG

-55～+150

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

YJL2312AQ

S12_·

3000

30000

120000

7“ reel

1 / 7

S-S3450

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

Rev.1.1,12-Apr-22

12 3 4 5 6 7

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