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YJG80G04B

更新时间: 2024-11-19 15:19:47
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扬杰 - YANGJIE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 682K
描述
PDFN5060-8L

YJG80G04B 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
YJG80G04B  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Product Summary  
VDS  
40V  
ID  
80A  
RDS(ON)( at VGS=10V)  
RDS(ON)( at VGS=6V)  
100% EAS Tested  
100% VDS Tested  
2.6mΩ  
4.5mΩ  
General Description  
Split gate trench MOSFET technology  
Excellent package for heat dissipation  
High density cell design for low RDS(ON)  
Moisture Sensitivity Level 1  
Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
Halogen Free  
Applications  
Power switching application  
Uninterruptible power supply  
DC-DC convertor  
Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
V
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
VGS  
±20  
20  
V
TA=25  
12  
TA=100℃  
TC=25℃  
Drain Current  
ID  
A
80  
50  
TC =100℃  
Pulsed Drain Current A  
Avalanche energy B  
IDM  
320  
200  
2.5  
A
EAS  
mJ  
TA=25℃  
TA=100℃  
TC=25℃  
TC =100℃  
1
Total Power Dissipation C  
PD  
W
100  
41  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ ,TSTG  
-55+150  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Typ  
40  
1
Max  
50  
Units  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient D  
Steady-State  
Steady-State  
/W  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
RθJC  
1.2  
Ordering Information (Example)  
PACKING  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
DELIVERY  
MODE  
PREFERED P/N  
Marking  
CODE  
YJG80G04B  
F1  
YJG80G04B  
5000  
10000  
100000  
13reel  
1 / 8  
S-E325  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
Rev.1.1,24-Oct-23  

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