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YJD90N02A PDF预览

YJD90N02A

更新时间： 2024-11-16 20:04:07
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 593K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252,

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YJD90N02A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：205 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：225 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

YJD90N02A 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
YJD90N02A  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Product Summary  
● VDS  
20V  
● ID  
90A  
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)  
● RDS(ON)( at VGS=2.5V)  
● RDS(ON)( at VGS=1.8V)  
● 100% UIS Tested  
● 100% ▽VDS Tested  
＜4.5mohm  
＜5.0mohm  
＜7.5mohm  
General Description  
● Trench Power LV MOSFET technology  
● Excellent package for heat dissipation  
● High density cell design for low RDS(ON)  
Applications  
● High current load applications  
● Load switching  
● Hard switched and high frequency circuits  
● Uninterruptible power supply  
Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)  
■
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
VDS  
VGS  
20  
±10  
90  
V
V
TC=25℃  
Drain Current  
ID  
A
TC=100℃  
63  
Pulsed Drain Current A  
Total Power Dissipation  
Single Pulse Avalanche Energy B  
IDM  
225  
A
W
TC=25℃  
45  
PD  
TC=100℃  
23  
W
EAS  
205  
mJ  
℃/ W  
℃
Thermal Resistance Junction-to-Case C  
Junction and Storage Temperature Range  
RθJC  
3.3  
TJ ,TSTG  
-55～+175  
Ordering Information (Example)  
■
PACKING  
PREFERED P/N  
MINIMUM  
PACKAGE(pcs)  
INNER BOX  
QUANTITY(pcs)  
OUTER CARTON  
QUANTITY(pcs)  
Marking  
DELIVERY MODE  
CODE  
YJD90N02A  
F2  
YJD90N02A  
2500  
/
25000  
13“ reel  
1 / 6  
S-E004  
Rev.2.0,28-Jun-19  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
123456

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与YJD90N02A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
YJD90N02AF2 YANGJIE

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 		Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
YJD90N06A YANGJIE

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 		TO-252
YJF05N65HX YANGJIE

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